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Les progrès de CXMT sur la DRAM 4F² pèsent sur les actions Samsung et SK Hynix

Le chinois CXMT dit avoir progressé sur une cellule DRAM 4F² plus petite et prévoit de la mémoire serveur DDR5 d'ici fin 2026. Samsung a reculé de 3,6 % et SK Hynix de 3,4 % le 12 octobre.

Par Tech AI Wire Team

3 min de lecture

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A blue DDR5 laptop memory module with black memory chips and a white Ramaxel label, on a white surface.
Photo: Padgriffin / Wikimedia Commons, CC BY 4.0

Le chinois ChangXin Memory Technologies (CXMT) affirme avoir réalisé des « progrès clés » sur un type plus petit de cellule mémoire DRAM. Les actions de Samsung et de SK Hynix ont reculé le lundi 12 octobre 2026, et Micron et SanDisk ont baissé plus tard à la Bourse américaine. CXMT prévoit de la mémoire serveur fondée sur cette nouvelle conception d'ici fin 2026. Si elle peut être produite à grande échelle, cette conception loge davantage de mémoire dans chaque puce, mais les analystes doutent que ce soit facile.

Ce que CXMT a annoncé

Le président de CXMT, Cao Kanyu, s'est exprimé pendant le week-end lors d'un événement du secteur à Shanghai, selon Investing.com. TradingKey date ses propos du 10 octobre. Les détails techniques proviennent du South China Morning Post, que citent plusieurs médias.

La DRAM est la mémoire de travail des ordinateurs et des serveurs. Chaque puce contient des milliards de cellules minuscules. La DRAM courante utilise une cellule 6F², tandis que CXMT travaille sur une cellule 4F². Ces désignations indiquent la surface de puce qu'occupe chaque cellule : une cellule 4F² est donc plus petite. Selon TradingKey, ce passage pourrait en théorie réduire d'environ un tiers la surface d'une seule cellule.

La conception repose sur un transistor que CXMT a développé lui-même, appelé Vertical Surrounding Gate. D'après les articles, il réduit les fuites électriques, c'est-à-dire le passage indésirable de courant, et diminue l'espace dont chaque cellule a besoin.

Cao a déclaré qu'une nouvelle génération de RDIMM DDR5 pour les serveurs d'entreprise arriverait d'ici fin 2026. Les RDIMM sont les modules de mémoire qu'utilisent les serveurs. CXMT « n'a pas publié de spécifications techniques détaillées ni confirmé de date précise de lancement du produit », rapporte EconoTimes.

Comment les valeurs de la mémoire ont réagi

Les articles donnent des chiffres différents, car ils ont relevé les cours à différents moments de la séance.

EntrepriseVariation rapportéeRapportée par
Samsung ElectronicsEn baisse de 3,6 % à 252 500 wons ; jusqu'à environ 4,2 % de baisse en séance ; en baisse de 4,4 %Investing.com, EconoTimes ; TradingKey ; TipRanks
SK HynixEn baisse de 3,4 % à 1 624 000 wons ; jusqu'à environ 4 % de baisse en séance ; en baisse de 4,5 %Investing.com, EconoTimes ; TradingKey ; TipRanks
CXMTEn baisse de 3,1 % à 49,42 yuansInvesting.com, EconoTimes
SanDiskEn baisse de 7,12 % à la Bourse américaineTradingKey
MicronEn baisse de 4,70 % à la Bourse américaineTradingKey

TradingKey indique aussi qu'un fonds négocié en Bourse axé sur la DRAM a reculé de 4,61 %. Selon TipRanks, la faiblesse du marché dans son ensemble a joué un rôle dans cette baisse.

Ce repli survient à un moment favorable pour les fabricants de mémoire. Les prix contractuels de la DRAM ont de nouveau augmenté au troisième trimestre, car les serveurs d'IA ont accaparé les capacités, et Samsung a prévu un bénéfice record pour le troisième trimestre la semaine dernière.

Où en sont Samsung et SK Hynix

Samsung et SK Hynix travaillent aussi sur des cellules 4F². SK Hynix a présenté une feuille de route 4F² en 2025, selon Investing.com et EconoTimes. Samsung prévoirait de produire en masse d'ici 2028 de la DRAM de moins de 10 nanomètres fondée sur cette conception.

CXMT est déjà un fournisseur important. Selon des chiffres de Counterpoint cités par TradingKey, il se classe quatrième mondial pour le chiffre d'affaires de la DRAM. Les deux articles de TradingKey lui attribuent une part de 7 % et d'environ 10 %.

Pourquoi les analystes restent prudents

L'analyste de Morningstar Jing Jie Yu estime que cette structure réduit la surface des cellules d'environ 30 %, rapporte TradingKey. Mais les analystes de Morningstar disent aussi que sa mise sur le marché pourrait être « extrêmement difficile ». Le principal problème est de fabriquer les cellules de manière homogène en grands volumes.

L'avantage ne tient que si les rendements de fabrication restent élevés, ajoute TradingKey. Le rendement est la part des puces qui sortent de l'usine en état de marche. Des coûts de procédé plus élevés pourraient aussi annuler le gain de densité.

Ce que cela signifie pour les développeurs

Pour les équipes qui achètent des serveurs ou conçoivent des systèmes gourmands en mémoire :

  • Rien ne change cette année. CXMT a promis des modules DDR5 pour serveurs d'ici fin 2026, mais n'a publié aucune spécification. Ne planifiez pas encore vos capacités en fonction d'eux.
  • Budgéter sur les prix actuels. Les prix contractuels de la DRAM ont de nouveau augmenté au troisième trimestre. Une conception plus dense venant d'un quatrième fournisseur mérite d'être suivie, mais les analystes doutent d'une production de masse rapide.
  • Tester les nouveaux modules avant de leur faire confiance. Toute nouvelle RDIMM DDR5 doit passer la liste de compatibilité du fabricant de votre serveur et vos propres tests de charge avant sa mise en production.
  • Surveiller trois signaux. La fiche technique de CXMT, ses premières dates de livraison et tout changement de l'objectif 2028 de Samsung montreront si la 4F² arrive en avance.

Sources

  1. Samsung, SK Hynix shares drop as China's CXMT flags progress in memory development - Investing.com
  2. Samsung, SK Hynix Face New Competition as CXMT Advances Memory Technology - TipRanks
  3. Memory Stocks Sold Off as SanDisk Tumbles 7%; CXMT Unveils Next-Gen DRAM Architecture, But Morningstar Says Commercialization Still Faces Major Hurdles - TradingKey
  4. Samsung, SK Hynix Shares Fall as China's CXMT Advances DRAM Technology - EconoTimes

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