Los avances de CXMT en DRAM 4F² golpean las acciones de Samsung y SK Hynix

La china ChangXin Memory Technologies (CXMT) afirma haber logrado «avances clave» en un tipo más pequeño de celda de memoria DRAM. Las acciones de Samsung y SK Hynix cayeron el lunes 12 de octubre de 2026, y Micron y SanDisk bajaron más tarde en la bolsa estadounidense. CXMT planea memoria para servidores basada en el nuevo diseño para finales de 2026. Si se puede fabricar a gran escala, el diseño mete más memoria en cada chip, pero los analistas dudan de que eso sea fácil.

Qué anunció CXMT

El presidente de CXMT, Cao Kanyu, habló durante el fin de semana en un evento del sector en Shanghái, según Investing.com. TradingKey sitúa sus declaraciones el 10 de octubre. Los detalles técnicos proceden del South China Morning Post, al que citan varios medios.

La DRAM es la memoria de trabajo de ordenadores y servidores. Cada chip contiene miles de millones de celdas diminutas. La DRAM convencional usa una celda 6F², mientras que CXMT trabaja en una celda 4F². Estas etiquetas describen cuánta superficie del chip ocupa cada celda, así que una celda 4F² es más pequeña. Según TradingKey, el cambio podría reducir en teoría el área de una sola celda en cerca de un tercio.

El diseño usa un transistor que la propia CXMT desarrolló, llamado Vertical Surrounding Gate. Según los informes, reduce las fugas eléctricas, es decir, el flujo no deseado de corriente, y reduce el espacio que necesita cada celda.

Cao dijo que una nueva generación de RDIMM DDR5 para servidores empresariales llegaría para finales de 2026. Los RDIMM son los módulos de memoria que usan los servidores. CXMT «no ha publicado especificaciones técnicas detalladas ni ha confirmado una fecha exacta de lanzamiento del producto», informa EconoTimes.

Cómo reaccionaron las acciones de memoria

Los informes dan cifras distintas porque registraron los precios en distintos momentos de la sesión.

Empresa	Movimiento informado	Informado por
Samsung Electronics	Baja del 3,6 % hasta 252.500 wones; caída de hasta cerca del 4,2 % durante la sesión; baja del 4,4 %	Investing.com, EconoTimes; TradingKey; TipRanks
SK Hynix	Baja del 3,4 % hasta 1.624.000 wones; caída de hasta cerca del 4 % durante la sesión; baja del 4,5 %	Investing.com, EconoTimes; TradingKey; TipRanks
CXMT	Baja del 3,1 % hasta 49,42 yuanes	Investing.com, EconoTimes
SanDisk	Baja del 7,12 % en la bolsa estadounidense	TradingKey
Micron	Baja del 4,70 % en la bolsa estadounidense	TradingKey

TradingKey también indica que un fondo cotizado centrado en DRAM cayó un 4,61 %. Según TipRanks, la debilidad del mercado en general influyó en la caída.

La ola de ventas llega en un buen momento para los fabricantes de memoria. Los precios por contrato de la DRAM volvieron a subir en el tercer trimestre porque los servidores de IA acapararon capacidad, y Samsung anticipó un beneficio récord en el tercer trimestre la semana pasada.

Dónde están Samsung y SK Hynix

Samsung y SK Hynix también trabajan en celdas 4F². SK Hynix presentó una hoja de ruta 4F² en 2025, según Investing.com y EconoTimes. Según los informes, Samsung planea producir en masa para 2028 DRAM de menos de 10 nanómetros basada en este diseño.

CXMT ya es un gran proveedor. Las cifras de Counterpoint citadas por TradingKey lo sitúan en cuarto lugar mundial por ingresos de DRAM. Los dos informes de TradingKey cifran su cuota en un 7 % y en cerca de un 10 %.

Por qué los analistas son cautos

El analista de Morningstar Jing Jie Yu dice que la estructura reduce el área de la celda en cerca de un 30 %, informa TradingKey. Pero los analistas de Morningstar también dicen que llevarla al mercado podría ser «extremadamente difícil». El principal problema es fabricar las celdas de forma uniforme en grandes volúmenes.

La ventaja solo se mantiene si el rendimiento de fábrica sigue siendo alto, añade TradingKey. El rendimiento es la proporción de chips que salen funcionando. Unos costes de proceso más altos también podrían anular la ganancia de densidad.

Qué significa para los desarrolladores

Para los equipos que compran servidores o planifican sistemas con mucho uso de memoria:

• Nada cambia este año. CXMT ha prometido módulos DDR5 para servidores para finales de 2026, pero no ha publicado especificaciones. Todavía no conviene planificar la capacidad en función de ellos.
• Presupuestar con los precios actuales. Los precios por contrato de la DRAM volvieron a subir en el tercer trimestre. Vale la pena seguir un diseño más denso de un cuarto proveedor, pero los analistas dudan de una producción en masa rápida.
• Probar los módulos nuevos antes de confiar en ellos. Cualquier RDIMM DDR5 nuevo debería superar la lista de compatibilidad del fabricante del servidor y las pruebas de carga propias antes de pasar a producción.
• Vigilar tres señales. La hoja de especificaciones de CXMT, sus primeras fechas de envío y cualquier cambio en el objetivo de Samsung para 2028 mostrarán si 4F² llega antes de tiempo.